• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:

    公开号:WO1991004123A1
    申请号:PCT/JP1990/001195
    申请日:1990-09-19
    公开日:1991-04-04
    发明作者:Kazuhiro Yamamoto；Shin Nemoto；Jun Okamoto；Susumu Okazaki
    申请人:Sumitomo Special Metals Company Limited；
    IPC主号:B23K26-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書
    [0002] スポッ ト状部分クラッ ド材の.製造方法
    [0003] 技術分野
    [0004] この発明は、 フラ ッ トパッケージなどの半導体集積回路を構成するリ一 ドフ レームなどに用いられるクラッ ド材の製造方法であり、 特に Fe-Ni系合金等の金 属基板材にろう材、 Al、 Cuなどの所要寸法の金属箔片が所定間隔で圧接されたス ポッ ト状部分クラッ ド材の製造方法に係り、 带状の基板材上に所定ピッチで所要 寸法の金属箔片を仮止めした素材を、 荷重一定制御と伸び率一定制御をカスケ— ド 制御する重ね合わせ圧接、 圧延により、 基板材上に所要寸法、 厚みの金属箔片を高 精度ピッチで固着するスポッ ト状部分クラッ ド材の製造方法に関する。 背景技術
    [0005] 近年の半導体集積回路を用いる各種機器には小型化の要請が強く、 かかる集積回 路にフラッ トパッケ一ジが多用されるようになった。
    [0006] フラッ トパッケージ用のリ一 ドフレームには、 第 2図に示す構成が知られてい る。 すなわち、 四周方向に端子部が設けられるリー ドフレーム 3は、 ワイヤボン ディ ングを行う部分に、 接合性を良好とする金属、 例えば Agろう、 Al、 Cu等の 被着部分を設ける必要がある。
    [0007] かかる金属被着部分を予め設けるために、 従来、 リー ドフレームに加工したの ち、 a.蒸着法、 b.めっき法により行っていたが、 より量産性にすぐれた方法が望 まれていた。
    [0008] すなわち、 a.蒸着法は高価な設備を要するだけでなく、 被着不要部分をマスキ ングする必要があり、 蒸着スピー ドが遅く生産性が低く、 また、 b.めっき法は めつき不可能な金属もあり、 効率よ くめつきできる厚みにも限界がある。
    [0009] また、 前記金属被着部分を予め設けるためには、 第 1図に示す如く、 リー ドフ レーム材料 1上に、 前記被着金属 2部分を高精度でスポッ ト状に設け、 プレス加工 またはエッチングによ り形成する方法が考えられる。 例えば、 リ一 ドフレーム带材上にス トライプ状に A1や Ag箔を圧接、 圧延にて 設けた後、 所要のスポッ ト状となるよう、 不要部分を機械的あるいは化学的に除 去する技術が提案 (特公昭 59-1078号公報）されているが、 被着金属の歩留が悪く、 被着必要部分をマスキングして不要部を除去するなど能率が悪く、 また、 高精度 で所要ピッチ、 寸法にスポッ ト状に設けることは困難であった。
    [0010] また、 所定寸法の金属箔片を極短い一定長さの基板材の所定位置に重ね合わせ、 圧接、 圧延により一定長さのスポッ ト状部分クラッ ド材を製造することは可能で あるが、 基板材コイルを卷き戻し連続して、 被着予定金属箔を所定寸法、 長さで 高精度に切断し、 さらに高精度に位置合わせをして所要ピッチで連続的に仮止め することができないために、 スポッ ト状部分クラッ ド材の工業的量産が不可能と されていた。
    [0011] 一方、 リー ドフレーム材上に A1箔をスポッ ト溶接にて止着した後、 これをク ラ ッ ド化したリ一 ドフレームが提案 (特公昭 60-227456号公報）されている力5'、 金属 箔を所定ピッチで高精度に位置合わせし、 連続的に仮止めするための具体的な製 造方法が提案されておらず、 実用化困難である。
    [0012] さらに、 単にスポッ ト溶接で仮止めしたのみでは、 A1箔が溶接部で拘束されて その圧延性に問題を生じる。
    [0013] また、 単に圧接、 圧延しただけでは、 極わずかな圧化力の変動でもピッチが変 動して、 所要ピッチ、 寸法精度を高精度化できない問題があった。
    [0014] この発明は、 かかる現状に鑑み、 基板材上に所要寸法の金属箔片を高精度ピッ チでクラッ ド化できるスポッ ト状部分クラッ ド材の製造方法の提供を目的として いる。
    [0015] またこの発明は、 金属箔带を所定寸法、 長さで高精度に切断し、 これをリー ド フレーム材に高精度に位置合わせをして連続的に仮止めし、 圧接、 圧延にて製造 性よく金属箔片をクラッ ド化でき、 圧延後の金属箔片が高精度ピツチでクラッ ド 化できるスボッ ト状部分クラッ ド材の製造方法の提供を目的としている。
    [0016] またこの発明は、 金属箔带をリー ドフレーム材に高精度に位置合わせをして連 続的に仮止めし、 不要部分を切断除去してこの金属箔带を圧延までにスボッ ト状 に配列でき、 圧接、 圧延にて製造性よ く金属箔片をクラッ ド化でき、 圧延後の金 属箔片が高精度ピッチでクラッ ド化できるスポッ ト状部分クラッ ド材の製造方法 の提供を目的と している。 発明の開示
    [0017] この発明は、 带状基板材上に所定の隣接間ピッチで所要寸法の金属箔片を一点以 上の溶接にて仮止めした圧延素材を得る工程と、
    [0018] 上記圧延素材を圧接並びに圧延する工程とからなる製造方法であって、
    [0019] 圧接並びに圧延する工程が、
    [0020] 前記仮止めした素材の基板材及び金属箔片の寸法、 金属箔片のピッチより、 圧延後 の目標ピッチ並びに目標板厚みを得るための目標圧延荷重を設定し、 前記目標圧延 荷重を基準に荷重一定制御する手段と、
    [0021] 圧延後の金属箔片の位置測定により、 予め設定した基板材上の原点から所要個数目 の金属箔片の目標位置と実測位置との差に応じて連続圧延中の圧延荷重を補正制御 する手段とからなることを特徴とするスポッ ト状部分クラッ ド材の製造方法であ る。
    [0022] この発明は、 圧延素材を得る工程に後述する如く、 種々手段を採用できる力 s、 例えば、 定寸送り した金属箔と基板材を所要間隔で連続的にレーザー溶接して仮 止めした後、 レーザー切断で不要部を切断除去して高精度のピッチで所要寸法の 金属箔片を仮止め、
    [0023] または定寸送り した金属箔を押さえ治具で同時に定寸送り される基板材上に押压 しながら、 レ一ザ一切断及びレーザ一溶接して仮止めした素材を得て、 あるいは、 定寸送り した金属箔と基板材を所要間隔で連続的にスポッ ト溶接して 仮止めした後、 回転力ッターで不要部を切断除去、
    [0024] または定寸送り した金属箔をパンチで挟み切断すると同時に定寸送り される基板 材上でパンチを通電材と してスポッ ト溶接して仮止めして高精度のピッ千で所要 寸法の金属箔片を仮止めした素材を得て、
    [0025] その後の圧接、 圧延時に所定厚みになるように圧延荷重を制御し、 例えば、 荷重 一定制御と伸び率一定制御をカスケ一 ド制御し、 また圧延後のピッチを検出して 前記目標荷重に制御することによ り超高精度の板厚制御ができ、 高精度のピッ チ、 寸法を有するスポッ ト状部分クラッ ド材を得る製造方法である。
    [0026] 詳述すれば、 この発明による圧延素材を得る工程の一例は、
    [0027] ①金属箔と基板材を定寸送り し-て重ね合わせる。
    [0028] ②金属箔表側の溶接用治具と基板材裏側の支持材等とにより両者を挟み、 溶接用 治具に設けたレーザ一照射窓よ りのレーザー照射にてレーザ—溶接を行う。 かかる定寸送り、 レーザ—溶接により、 所定幅の金属箔を所定位置に重ね合わ せて、 基板材の長手方向に一定間隔で金属箔片の長手端面を仮止めする。
    [0029] ③例えば、 一定間隔で保持した一対のレーザ一切断器により、 金属箔を一定間隔 で幅方向に切断する。
    [0030] ④切断後、 溶接止着していない部分を除去する。
    [0031] ⑤ この繰返しにより、 基板材に連続して、 所定寸法の金属箔片を所定ピッチに重 ね合わせる工程からなる。
    [0032] また、 他の圧延素材を得る工程例は、
    [0033] 基板材上で金属箔を所定位置に定寸送りを行う材料送り込み装置により開閉する 金属箔の押さえ治具にて、 金属箔を基板材上に押圧可能となし、 必要に応じて、 前記押さえ治具に、 基板材の幅方向の金属箔片切断用レーザー照射窓と、 基板材の 幅方向の一点以上の溶接用レーザ—照射窓を設け、
    [0034] ①金属箔と基板材を定寸送り し
    [0035] ②定寸送り後、 押さえ治具にて金属箔を基板材上の所要位置に押圧し、
    [0036] ③切断用レーザ一と溶接用レーザーを同時または所定の時間差で照射することに より、 前記金属箔を所定寸法にレーザ一切断し、 金属箔片を基板材の幅方向ま たは長手方向の一点以上の端面部をレーザ一溶接して仮止めし、
    [0037] ③ かかるレーザ—切断、 レーザー溶接により、 所定寸法の金属箔を所定位置に重 ね合わせ、 基板材に仮止めした後、 基板材を所定長さだけ送り出す。
    [0038] ④ この繰返しにより、 基板材に連続して、 所定寸法の金属箔片を所定ピッチに重 ね合わせる工程からなる。
    [0039] この発明において、 レーザ一切断、 レーザー溶接には公知の方法、 装置が適 ffl でき、 例えば、 ルビー、 Nd-YAGや C02などの各種波長、 Qスィ ッチ、 ) ルス、 連続などの発生形式、 出力を切断用あるいは溶接用の各用途に応じて適宜選定でき る。 また、 1機のレーザー装置を切断用あるいは溶接用に切り替えて使用するこ ともできる。
    [0040] レーザー切断あるいはレーザ一溶接時のレーザ一照射方法は、 基板材上に金属 箔を押圧する治具等に、 レーザ—照射器を設けて金属箔の所要箇所にレーザ—照 射するほカゝ 別途保持されたレ一ザ一照射器から金属箔端面にあるいは金属箔を 押圧する治具等に穿孔した照射窓やスリ ツ ト部より金属箔の所要箇所にレーザ— 照射するなど、 工程中の金属箔条の切断あるいは溶接時期等の条件に応じて適宜選 定する必要がある。
    [0041] また、 長尺の金属箔条の溶接箇所は、 金属箔のスリ ツターされた両側端部を所 要間隔でレーザ—照射して接合するのがよ く、 一方、 切断した短尺の金属箔片は その切断端部あるいは前記スリツターされた両側端部を所要間隔でレ―ザ一照射 して接合するのがよい。
    [0042] さらに、 溶接雰囲気は不活性ガス雰囲気が好ま しく、 必要に応じて不活性ガス 噴射したり、 溶接工程を密閉した不活性ガス室でレーザ一溶接を行うことができ る。
    [0043] 基板材の圧接、 圧延における金属箔片のピッチ変動は、 a.基板板厚の変動、 b.圧 延ロ—ル偏芯のロールギヤッブ (板厚)変動、 により発生するため、 フィー ドバッ ク、 フィー ドフォワー ドを駆使した超高精度の板厚制御が必要である。
    [0044] この発明において、 圧接、 圧延では板幅の変化率は板厚の変化率に比べ非常に 小さく一定に考えることができ、 圧延率 Reを一定に制御することでピッチの制御 が可能となる。
    [0045] V = Lonob = Lihib
    [0046] Lo = iJihi / ho =Li / Re
    [0047] V ;体積、 hi ;母材板厚、 h0 ;圧延板厚、 b ;板幅、 ；母材ピッチ、 L0 ;圧延ピッ チ
    [0048] ところで、 圧延荷重 Pが
    [0049]
    [0050] = kmV(R(l I Re一 l)h0)bQp =kMV(R(L0 /Li -l)h0)bQp
    [0051] km；変形抵抗、 R；偏平を考慮した口—ル半径、 Qp；圧下力関数
    [0052] と表され、 目標となる圧延荷重を制御することでピッチを制御することが可能と なる力'、 圧下力関数 Qpは摩擦条件等によ り変化することから、 これを補正する必 要力5'ある。
    [0053] そこでこの発明では、 圧延機出側にピッチ測定器を設け、 連続圧延中の圧下力 関数 Qpを含めた総合的な補正を、 圧延荷重の制御へフィー ドバッ クすることによ り、 超高精度の板厚制御を可能とし、 目的のピッチ制御を実現した。
    [0054] さらに、 前記目標圧延荷重の設定に際し、 圧延機入側に金属箔片のピッチ測定機 を設け、 圧延前のピッチ測定値をフィー ドフォワー ドし、 常時あるいは適宜目標 設定値を補正することによ り、 板厚制御がより高精度化、 高速化することができ る o
    [0055] 上記のピッチ測定による制御を高精度化するため、 さらにこの発明は、 圧延機 出側に金属箔の位置測定器を設け、 所要原点からの所要金属箔片の目標位置と実測 位置との差に応じて、 連 延中の圧下力関数 QPを含めた総合的な補正を、 圧延 荷重の制御へフィ一 ドバックすることによ り、 超高精度の板厚制御を可能とし、 目的の金属箔の位置制御を実現した。
    [0056] さらに、 前記目標圧延荷重の設定に際し、 圧延機入側に金属箔片の位置測定器を 設け、 圧延前の金属箔片の目標位置と実測位置との差を測定し、 該測定値をフィ— ドフォワー ドし、 常時あるいは適宜目標荷重設定値を補正することにより、 板厚 制御がより高精度ィ匕、 高速ィヒすることができる。
    [0057] また、 所要原点からの所要金属箔片位置の測定による制御に、 上記のピッチ測 定による制御を併用あるいは補正に使用するのもよい。
    [0058] この発明により、 金属箔が所定ピッチに重ね合せられた基板材の圧接、 圧延に おいて生じる a.圧延ロール偏芯による周期的変動や、 b.油膜の量等の影響による緩 やかな変動等の夕 1 ^乱を軽減できることから、 超高精度のピッチ制御を可能とし、 ブレス加工またはエッチングによるリ一 ドフレーム形成時の量産性に優れた材料 を提供できる。 この発明において、 クラッ ド母材となる基板材には、 リー ドフ レーム材と し て使用されている Ni、 42Ni-Fe系合金、 Cu、 Cu系合金など公知のいずれの材料も 適用でき、 スポッ ト状に圧接する金属箔は Ag、 Ag-Cu等の Agろうをはじめとす る公知のろう材、 Al、 Cuなどを用いることができる。 図面の簡単な説明
    [0059] 第 1図はスポッ ト状部分クラッ ド材の余斗視説明図である。
    [0060] 第 2図はリ一 ドフレームの一例を示す説明図である。
    [0061] 第 3図 a，b,dは圧延素材の製造工程を示す概略説明図であり、 同図 cはラィン方向 から見たレ一ザ一溶接装置とレーザ一切断機の概略説明図である。
    [0062] 第 4図はこの発明による圧接、 圧延方法を示す圧延機の概略説明図である。
    [0063] 第 5図 a，b,cはピッチ測定器を示す説明図である。
    [0064] 第 6図 a〜eは圧延素材の製造工程を示す定寸送り装置、 レ―ザ一溶接装置及び レーザー切断機の一実施例の概略説明図であり、 同図 aはライン方向から見た説明 図である。
    [0065] 第 7図 a~eはこの発明による製造工程を示す定寸送り及び抵抗溶接装置の一実施 例の概略説明図であり、 同図 aはライン方向から見た説明図である。
    [0066] 第 8図はこの発明による挟み切断の機構を示す斜視説明図である。
    [0067] 第 9図 a，b，d，fはこの発明による製造工程を示す概略説明図であり、 同図 c，eはラィ ン方向から見た抵抗溶接装置と切断機の概略説明図である。
    [0068] 第 10図 a，b，d，fは圧延素材の製造工程を示す概略説明図であり、 同図 c，eはライ ン 方向から見た超音波溶接装置と切断機の概略説明図である。
    [0069] 第 11図 a，b，d,fは圧延素材の製造工程を示す概略説明図であり、 同図 c，eはライ ン 方向から見たレ一ザ一溶接装置と切断機の概略説明図である。
    [0070] 第 12図 a~eはと圧延素材の製造工程を示す定寸送り、 挟み切断装置及びレ一ザ— 溶接装置の一実施例の概略説明図であり、 同 a図はラィン方向から見た説明図であ る。
    [0071] 第 13図はこの発明による圧延時のピッチ制御の手順を示すフローチヤ一トであ o 発明を実施するための最良の形態
    [0072] 実施例 1
    [0073] 先ず、 第 3図 a~dに示す圧延素材を得る工程を説明する。
    [0074] コイルから卷き戻した基板材 10は、 押さえ治具 15へ図示しない定寸送り装置に て所定長さずつ送り出され、 上方よりコィルから卷き戻した金属箔 11が同様に定 寸送り装置にて所定長さずつ送り出される。
    [0075] さらに、 押さえ治具 15の下流側には、 レーザ一切断装置 16が設けてあり、 後述 する溶接後にコイルに卷き取る力、、 あるいはさらに、 下流側に設けた圧延装置に て圧接、 圧延する。
    [0076] 基板材 10と金属箔 11の定寸送り装置は、 図示しない力5'、 所定長さずつ送り出す ことができれば、 公知のいずれ-の構成も利用できる。
    [0077] レーザ—溶接器 13は、 第 3図 b、 第 3図 cに示す如く、 金属箔 11を上方より押圧す るために配設した押さえ治具 15の金属箔 11幅方向両端を望むように上方に一対配 置され、 また基板材 10の金属箔 11圧着予定位置の裏面側、 ここでは下面の中央部 に上下動可能に支持材 14を配置してある。
    [0078] すなわち、 基板材 10に沿って所定位置にガイ ドする機構を設けた送りこみ装置 により、 前記支持材 14と押さえ治具 15が開閉可能となり、 基板材 10と金属箔 11が 定寸送りされて所定位置に重ね合わせられたのち、 前記支持材 14と押さえ治具 15 が移動して基板材 10と金属箔 11に当接した際、 レーザ一照射してレーザ一溶接す る構成からなる。
    [0079] レーザ—切断装置 16は、 第 3図 bに示す如く、 基板材 10の上方に長さ方向に所定 間隔で保持されたレ一ザ一照射器からなり、 移動してきた金属箔 11をその幅方向 に切断する構成からなる
    [0080] 工程は第 3図に示す如く、
    [0081] ①金属箔 11がガイ ド機構により、 基板材 10の所定位置に送り込まれ、 前記ガイ ド 機構により開閉可能なレ―ザ一溶接器 13に基板材 10と金属箔 11が送り込まれ る。 この際、 所定送り量は圧接、 圧延、 仕上げ圧延によって変形する量を見込 んでおく必要がある（第 3図 a参照)。 ② 支持材 14を上昇させ、 押さえ治具 15が金属箔 11を基板材 10に押付けた時点で、 該レーザー溶接器 13からのレーザ一ビーム力押さえ治具 15に穿孔した照射窓 を通して金属箔の長手方向端面に照射され溶接を完了する（第 3図 b,c参照)。 このとき、 照射時間が極めて短く金属溶融部の発生がなく、 金属箔表面に溶接 痕が出にくい利点がある。
    [0082] 特に、 第 3図 cに示す如く、 溶接は基板材 10幅方向の金属箔片 11両端部の 2点を溶 接するとよく、 後工程の圧延時にロールに嚙みこむ先端側のみを仮止めして後端 側をフリーにすることによ り、 圧接、 圧延性が向上する。
    [0083] ③上記溶接装置よ り所定ピッチの整数倍に位置した基板材 10部分に固定された金 属箔 11を所定間隔に配置したレ一ザ一切断装置 16により所定長さに切断して金 属箔 11の整形を行う。 切断は b図に示す如く、 溶接時に先に溶接を完了した部 分をレーザー切断するとよレ、。
    [0084] この際、 切断長さは圧接、 圧延、 仕上げ圧延によって変形する量を見込んでお く必要がある。
    [0085] ④切断後、 溶接されていない部分を除去することにより、 レーザ一溶接により 仮止めされかつ形状が良好な所定寸法の金属箔片 12を得ることができる（第 3図 d参照)。
    [0086] 例えば、 前記①工程を同時に行った後、 ②③④工程を同時に行うサイクルを繰 返すことにより、 金属箔片 12を所要ピッチで連続的に仮止めした基板材 10を得 る
    [0087] 次に、 得られた金属箔片 12を仮止めした基板材 10を圧接、 圧延する方法を説明 する。
    [0088] 第 4図に示す如く、 圧延機 30は一対のワークロール 31にバックアツプロ—ル 32 を当接させて、 巻き戻された基板材 10をカロ圧する構成からなり、 荷重検出装置と 板厚計を備え、 圧延荷重制御装置にて荷重一定制御を行う。
    [0089] さらに、 圧延機 30出側に金属箔片の位置測定器、 ここでは、 光学式センサ 33、 高精度ェンコーダ 34を設けてある。
    [0090] 制御方法は以下の手頃からなる。 I 圧延荷重の計測値とその時の金属箔片の所要原点からの絶対位置測定値を基 に、 圧延荷重の変動とピッチ及び絶対位置の変動との定量的関係、 制御モデル を求め、
    [0091] II 所定位置精度を得るための目標とする圧延荷重を計算し、
    [0092] Π 圧延荷重を制御基準として出力することにより荷重一定制御を行う。
    [0093] IV また、 金属箔片の位置測定結果は、 圧延荷重制御装置にフィー ドバックするこ とにより制御エラーに対し、 制御モデルを適宜修正し、 総合的な補正を行う。 かかる制御にて、 圧延時の超高精度の板厚制御が可能となり、 目的の高精度 ピッチ制御を実現できる。
    [0094] また、 IIにおいて、 圧延前の金属箔片の所要原点からの絶対位置測定値を フィー ドフォヮ一 ドし、 常時あるいは適宜圧延荷重の目標設定値を補正すること ができる。
    [0095] 金属箔片の位置測定器には、 第 5図に示す如く、 光学式センサ 33など公知のセン サを用いて、 第 5図 aの如く基板材 10幅方向に金属箔片 12を検知、 第 5図 cの如く基 板材 10長手方向に金属箔片 12を検知するほ力、、 第 5図 bの如く光学式センサ 33と高 精度ェンコ一ダ 34を用いて、 金属箔片 12の所要点からの位置を測定できる。
    [0096] 実施例 2
    [0097] まず、 第 6図 a~eに示す圧延素材を得る工程を説明する。
    [0098] コィルから巻き戻した基板材 10は、 レーザ一溶接装置へ図示しない定寸送り装 置にて所定長さずつ送り出され、 材料ガイ ド 20近傍には吸着機による金属箔 11の 着脱機構を設けて所定長さずつ送りだす金属箔の定寸送り装置が設けてあり、 後 述するレーザー切断、 溶接後にコイルに卷き取る力、、 あるいはさらに、 下流側に 設けた圧延装置にて圧接、 圧延する。
    [0099] 金属箔 11の定寸送り装置は、 ここでは、 所定幅の帯状金属箔 11が吸着機にて吸 着され、 該金属箔 11を材料ガイ ド 20に設けた凹部溝底面上を吸着機の 1ス トローク 分だけ摺動送り される構成からなる。
    [0100] 基板材 10の定寸送り装置は、 図示しないが、 所定長さずつ送り出すことができ れば、 公知のいずれの構成も利用できる。 ここでは、 基板材 10の金属箔片 11溶接予定位置の裏面側、 すなわち下面の中央 部に支持ローラ 22を当接配置し、 基板材 10に沿って所定位置にガイ ドする機構を 設けた送りこみ装置により、 押さえ治具 21が上下動可能となり、 基板材 10と金属 箔 11が定寸送りされて所定位置-に重ね合わせられたのち、 押さえ治具 21が下降し て基板材 10と金属箔 11に当接した際、 レーザー照射してレーザー切断およびレー ザ一溶接する構成からなる。
    [0101] レーザ一切断装置 16は、 第 6図 dに示す如く、 基板材 10の上方に保持されたレ一 ザ—照射器からなり、 押さえ治具 21端の金属箔 11をその幅方向に切断する構成か らなる。
    [0102] また、 レーザ一溶接装置は、 第 6図 dに示す如く、 レーザー切断と同時に、 押さ え治具 21に設けたレーザー照射窓に向けてレーザ一溶接器からのレーザービーム を照射する構成からなる。
    [0103] 工程を詳述すると、
    [0104] ①吸着機による着脱機構を有する定寸送り装置によ り切断装置に所定幅の金属箔 11を所定量送り込む (第 6図 c参照)。
    [0105] ②所定長さの金属箔 11がガィ ド 20端面よりオーバーハングした時、 押さえ治具 21を下降させて金属箔 11を押さえ、 レーザー切断して金属箔片 12となす (第 6図 d参照)。
    [0106] ③前記レーザ—切断と同時に、 金属箔片 12を基板材 10に押付けた状態で、 レー ザ一照射することによ り、 金属箔片 12をレーザー溶接する（第 6図 d参照）このと きの溶接位置は基板材幅方向に一点以上が好ましい。
    [0107] ④ レーザ—溶接完了後に、 基板材 10を、 定寸送り装置にて、 所定量、 すなわち、 圧接、 圧延及び仕上げ圧延によって変形する量を見込んだ量を送る。
    [0108] 例えば、 前記①④工程を同時に行つた後、 ②③工程を行うサイ ク ルを繰返すこ とにより、 金属箔片 12を所要ピツチで連続的に仮止めした基板材 10を得る。
    [0109] 上述の金属箔片 12を仮止めした基板材 10を、 実施例 1と同様に圧接、 圧延するこ とにより、 高精度ピッチで金属箔片を圧接したスポッ ト状部分クラッ ド材を得る ことができる。 ちなみに、 10mm幅、 ΙΟμπι厚み、 6.4mm長さの Α1箔片を、 36.0mmピッチで連続 的に仮止めした 42mm幅、 0.25mm厚み 42Ni-Fe材を用い、 圧延後の目標基板材厚み を 0.15mm、 A1箔片の目標ピッチを 60.0mmに設定した。
    [0110] 例えば、 第 4図に示す圧延機において、 バックアップロールが周期的に偏心し たり、 他圧延条件などで圧下力が変動している力5'、 かかる変動に起因して金属箔 片のピッチ変動幅は約土 800μιηとなる。
    [0111] ピツチ目標精度を ± 300μιη〜士 ΙΟΟμπχ以内とするには、 前記の仮づけ精度が 0.25 tで ± 30μπι、 0.15 tで ± 50μπιであると、 ピッチ精度 ± 300μπιにするには、 圧延厚み制御精度幅をサブミク口ンオーダーでにコントロールする必要がある。 従って、 ピッチ制御として、 単に圧延厚み制御により制御することは困難と考え られる。
    [0112] また、 口一ル偏心の板厚への影響は、 キスロールでの荷重変動が士 0.5toii変動し ていると、 ミル定数 74ton/mmでギャッブ変動が士 2μπι、 板厚にはその 1/ 2程度 で士 Ιμπιに相当し、 板厚で士 Ιμπι変動すると、 伸びで土 600μπι変動する。
    [0113] そこで、 第 4図に示す圧延機を用いて、 荷重一定制御と伸び率一定制御のカス ケー ド制御方式と、 金属箔片の位置測定器による測定結果を圧延荷重制御装置に フィー ドバック して補正するこの発明の制御方法で圧延したところ、 42mm幅、 0.15mm厚みの基板材上に、 10mm幅、 10.7mm長さの A1箔片をクラッ ドすることが でき、 圧延荷重制御しない方法に比較して、 金属箔片の絶対位置精度が 10倍以上に 向上し、 リー ドフレーム材料として最適の高精度位置で A1箔片をスポッ ト状に部 分クラッ ドした材料を得ることができた。
    [0114] 実施例 3
    [0115] 第 7図、 第 8図に基づいて、 シリーズスポッ ト溶接にて圧延素材を得る工程を説 明する。
    [0116] コイルから巻き戻した基板材 10は、 シリーズスポッ ト溶接装置へ図示しない定 寸送り装置にて所定長さずつ送り出され、 溶接装置近傍には吸着機による金属箔 11の着脱機構を設けて所定長さずつ送りだす金属箔の定寸送り装置、 挟み切断装置 が設けてあり、 後述する溶接後にコイルに卷き取る力、、 あるいはさらに、 下流側 に設けた圧延装置にて圧接、 圧延する。 金属箔 11の定寸送り装置は、 ここでは、 所定幅の带状金属箔 11が吸宥傑41に - 吸着され、 該金属箔 11を材料ガイ ド 40に設けた凹部溝底面上を吸着機 41の 1ス ト ローク分だけ摺動送りされる構成からなる。
    [0117] 基板材 10の定寸送り装置は、 示しないが、 所定長さずつ送り出すことができ れば、 公知のいずれの構成も利用できる。
    [0118] 挟み切断装置は、 第 8図に示す如く、 前記材料ガイ ド 40の下流端が下側固定ダイ スとなり、 油圧シリ ンダゃサ一ボモ一タ一等にて上下,駆動されるパンチ 42と前記 ダイス端面とで切断する構成からなる。
    [0119] また、 挟み切断装置は、 切断時にダイス端面との間隔ク リアラ ンス力 s0となる よう、 ばね等でパンチホルダ一 44を介して押圧されるため目詰が発生し難い利点 が'ある。
    [0120] シリ―ズスポッ ト溶接装置は、 基板材 10の金属箔片 12圧着予定位置の裏面側、 すなわち下面の中央部にローラ電極 43を当接配置し、 通電材を配設した前記 ' ン チ 42とを組合せて、 前記の挟み切断後に金属箔片とともにパンチ 42が基板材 10に 当接した際通電し、 スポッ ト溶接する構成からなる。
    [0121] 工程を詳述すると、
    [0122] ①吸引による着脱機構を有する定寸送り装置により切断装置に所定幅の金属箔 11 を所定量送り込む。 この際、 所定送り量は圧接、 圧延、 仕上げ圧延によって変 形する量を見込んでおく必要がある（第 7図 c参照)。
    [0123] ②所定長さの金属箔 11がガィ ド 40端面よりオーバ一ハングした時、 パンチ 42を 下降させて金属箔 11を切断して金属箔片 12となす (第 7図 d参照)。
    [0124] ③前記パンチ 42が切断した金属箔片 12を基板材 10に押付けた時点で、 ローラ電極 43に加圧通電することにより、 金属箔片 12を溶接する（第 7図 e参照)。
    [0125] このとき、 金属溶融部の大きさは、 金属箔片 12表面に出ない程度に溶接をする のが望ましく、 溶接箇所は基板材 10幅方向に一点以上を並べるとよい。
    [0126] 特に、 第 1図 a図に示す如く、 溶接は基板材 10幅方向の金属箔片 12両端部の 2点を 溶接するとよく、 後工程の圧延時にロールに嚙みこむ先端側のみを仮止めして後 端側をフ リーにすることによ り、 圧接、 圧延性が向上する。 ④ スポッ ト溶接完了後に、 基板材 10を、 定寸送り装置にて、 所定量、 すなわち、 圧接、 圧延及び仕上げ圧延によって変形する量を見込んだ量を送る。
    [0127] 上記工程を繰返して、 所定寸法に切断した金属箔片 12を基板材 10上に所定間隔で 配列しスポッ ト溶接する。 - 例えば、 前記①④工程を同時に行つた後、 ②③工程を行うサイ クルを繰返す。
    [0128] ⑤次に、 金属箔片 12を所定ピッチで連続的に仮止めした基板材 10を、 圧接、 圧延
    [0129] - する。
    [0130] 荷重一定制御と伸び率一定制御をカスケ一ド制御し、 かつ圧延機出側に設けた ピッチ測定器の結果に基づいてフィ一ドバック制御にて重ね合わせ圧接、 圧延し た。
    [0131] この場合、 ピッチ測定器の位置が圧延機直後から例えば 20〜30ピッチ程度離れ ていると、 そのピッチ分の測定遅れを生じており、 圧延荷重とピッチとの関係か ら求めた圧下力関数 QPによるピッチの推定精度に関係し、 この誤差の累積が累積 ピッチ制御の成績を左右していることが解つた。
    [0132] そこで、 ピッチ測定器の位置をできるだけ圧延機に近づけることにより、 累積 ピッチ制御の改善を図ることができ、 例えばピッチ測定遅れ力 ^SOmmであった ものを 125mmとすると、 約 ± 2mmの誤差が ± 0.5mm程度になることを確認し た。
    [0133] ピッチ測定器によっては圧延機に近づけることが困難な場合もあるため、 ここ では圧延荷重により圧延直後のピッチを推定して、 測定遅れの補償を行うことに した。
    [0134] すなわち、 圧延荷重と圧下力関数から圧延機出側ピッチの推定が可能となるこ とから、 ピッチ測定遅れで癸生する無駄時間補償を、 圧下力関数を実績荷重と実績 ピッチより求め、 最新の圧下力関数値により出側ピッチを推定し、 これを制御す る方式とした。 また、 この推定誤差の累積が現実の累積ピッチのズレとして現れ ることになるため、 推定誤差の累積を累積ピッチの制御目標とすることにより現 実の累積ピッチのズレを軽減できる。
    [0135] 詳述すると、 第 13図の制御手順のフローチヤ一 トに示す如く、 ① 実測のピッチ、 入側ピッチ、 荷重値と既定値（口―ル径、 変形抵抗、 その他）よ り求めた圧下力関数を求める
    [0136] ②荷重実測値 (区間平均値）と入側ピッチと圧下力関数によるピッチ推定
    [0137] ③推定誤差 (累積実測値一累積 ^値)を制御目標とする累積ピッチ制御を行う
    [0138] ④最新の圧下力関数により、 操作ピッ千を操作荷重に変換する
    [0139] ⑤入り側ピッチ計測結果により、 目標圧延荷重を求める
    [0140] の手順で制御する。
    [0141] ちなみに、 下記条件の場合に上記の制御を行ったところ、 ピッチ測定遅れが 680mmであったものを 125mmと した場合と同等以上の効果を得た。
    [0142] QP = 1.555, P = 12780kg, km = 75kg/mm2, R=40mm、 Li = 18.684mm、 Lo = 27.400mm, b = 49.85mm、 hi = 0.368mm
    [0143] 以上に詳述したこの癸明による圧延制御方法にて、 高精度ピッチで金属箔片を 圧接したスポッ ト状部分クラッ ド材を得ることができた。
    [0144] 実施例 4
    [0145] 第 9図に基づいて、 シリーズスポッ ト溶接にて圧延素材を得る他の工程を説明す コイルから卷き戻した基板材 10は、 シリーズスポッ ト溶接装置 45へ図示しない 定寸送り装置にて所定長さずつ送り出され、 上方より金属箔 11が同様に定寸送り 装置にて所定長さずつ送り出される。
    [0146] さらに、 シリーズスポッ ト溶接装置 45の下流側には、 一対の円形カッター 48に よる切断装置が設けてあり、 後述する溶接後にコイルに卷き取るカヽ あるいはさ らに、 下流側に設けた圧延装置にて圧接、 圧延する。
    [0147] 基板材 10と金属箔 11の定寸送り装置は、 図示しない力 f、 所定長さずつ送り出す ことができれば、 公知のいずれの構成も利用できる。
    [0148] シリ―ズスポッ ト溶接装置は、 第 9図 cに示す如く、 基板材 10の金属箔 11圧着予 定位置の裏面側、 ここでは下面の中央部に上下動可能に電極 46を配置し、 また金属 箔 11側に通電材 47を配設してある。
    [0149] すなわち、 基板材 10に沿って所定位置にガイ ドする機構を設けた送りこみ装置 によ り、 前記 ffi極 46と通電材 47が開閉可能となり、 基板材 10と金厲箔 11が定寸送 りされて所定位置に重ね合わせられたのち、 前記電極 46と通電材 47が移動して基 板材 10と金属箔 11に当接した際通電し、 スポッ ト溶接する構成からなる。
    [0150] 切断装置は、 第 9図 eに示す如く、 所定間隔で保持され図示しない駆動モータ— で回転する円形力ッタ一 48からなり、 移動してきた金属箔 11をその幅方向に切断 する構成からなる。
    [0151] 工程を詳述すると、
    [0152] ①金属箔 11がガイ ドする機構によ り、 基板材 10の所定位置に送り込まれ、 前記装 置により電極が開閉可能なシリ一ズスポッ ト溶接装置 45に基板材 10と金属箔 11 が送り込まれる。 この際、 所定送り量は圧接、 圧延、 仕上げ圧延によって変形 する量を見込んでおく必要がある（第 9図 a参照)。
    [0153] ②電極 46を上昇させて溶接用通電材 47が金属箔 11を基板材 10に押付けた時点で該 電極 46に加圧通電することによ り金属箔を溶接する（第 9図 b，c参照)。
    [0154] このとき、 金属溶融部の大きさは金属箔表面に出ない程度に溶接するのが望ま しく、 溶接箇所は基板材 10幅方向に一点以上に並べるとよい。
    [0155] 特に、 第 9図 cに示す如く、 溶接は基板材 10幅方向の金属箔片 11両端部の 2点を溶 接するとよく、 後工程の圧延時に口一ルに嚙みこむ先端側のみを仮止めして後端 側をフリーにすることにより、 圧接、 圧延性が向上する。
    [0156] ③ 上記溶接装置より所定ピッチの整数倍に位置した基板材 10部分に固定された金 属箔 11を所定間隔に配置した円形力ッター 48により所定長さに切断して金属箔 11の整形を行う（第 9図 d,e参照)。
    [0157] この際、 所定長さは圧接、 圧延、 仕上げ圧延によって変形する量を見込んでお く必要がある。
    [0158] ④切断後、 溶接されていない部分を除去することによ り、 スポッ ト溶接により 仮止めされかつ形状が良好な所定寸法の金属箔片 12を得ることができる第 9図 f 例えば、 前記①工程を同時に行った後、 ②③④工程を同時に行うサイ クルを繰 ⑤次に、 金属箔片 12を所定ピッ千で連続的に仮止めした基板材 10を、 実施例 1と 同様に圧接、 圧延することにより、 高精度ピッチで金属箔片を圧接したスポッ ト状部分クラッ ド材を得ることができる。
    [0159] 実施例 5
    [0160] 第 10図に基づいて、 超音波スポッ ト溶接にて圧延素材を得る工程を説明する。 コイルから巻き戻した基板材 10は、 超音波溶接装置 50へ図示しない定寸送り装 置にて所定長さずつ送り出され、 上方より金属箔 11が同様に定寸送り装置にて所 定長さずつ送り出される。
    [0161] さらに、 超音波溶接装置 50の下流側には、 一対の円形力ッタ一53による切断装 置が設けてあり、 後述する溶接後にコイルに卷き取るカ あるいはさらに、 下流 側に設けた圧延装置にて圧接、 圧延する。
    [0162] 基板材 10と金属箔 11の定寸送り装置は、 図示しない力'、 所定長さずつ送り出す ことができれば、 公知のいずれの構成も利用できる。
    [0163] 超音波溶接装置は、 第 10図 cに示す如く、 基板材 10の金属箔 11圧着予定位置の裏 面側、 ここでは下面の中央部に上下動可能に支持材 51を配置し、 また金属箔 11側 に超音波加振板 52を配設してある。
    [0164] すなわち、 基板材 10に沿って所定位置にガイ ドする機構を設けた送りこみ装置 により、 前記支持材 51と超音波加振板 52が開閉可能となり、 基板材 10と金属箔 11 が定寸送り'されて所定位置に重ね合わせられたのち、 前記支持材 51と超音波加振 板 52が移動して基板材 10と金属箔 11に当接した際加振し、 超音波溶接する構成か らなる。
    [0165] 切断装置は、 第 10図 eに示す如く、 所定間隔で保持され図示しない駆動モータ— で回転する円形カッター 53からなり、 移動してきた金属箔 11をその幅方向に切断 する構成からなる。
    [0166] 第 10図に基づいて工程を詳述すると、
    [0167] ① 金属箔 11がガイ ド機構によ り、 基板材 10の所定位置に送り込まれ、 前記装置に より電極が開閉可能な超音波溶接装置 50に基板材 10と金属箔 11が送り込まれ る。 この際、 所定送り量は圧接、 圧延、 仕上げ圧延によって変形する量-を見込 んでおく必要がある（第 10図 a参照)。 ②支持材 51を上昇させて超音波加振板 52が金属箔 11を基板材 10に押付けた時点で 該超音波加振板 52で加圧加振することにより金属箔を溶接する。 （第 10図 b，c参 眧、)。
    [0168] 特に、 第 10図 cに示す如く、 溶接は基板材 10幅方向の金属箔片 11両端部の 2点を 溶接するとよく、 後工程の圧延時にロールに嚙みこむ先端側のみを仮止めして後 端側をフリーにすることによ り、 圧接、 圧延性が向上する。
    [0169] ③上記溶接装置より所定ピッチの整数倍に位置した基板材 10部分に固定された金 属箔 11を所定間隔に配置した円形力ッター 53により所定長さに切断して金属箔 11の整形を行う（第 10図 d，e参照)。
    [0170] この際、 所定長さは圧接、 圧延、 仕上げ圧延によって変形する量を見込んでお く必要がある。
    [0171] ④切断後、 溶接されていない部分を除去することによ り、 超音波溶接により仮止 めされかつ开 犬が良好な所定寸法の金属箔片 12を得ることができる（第 10図像 照)。
    [0172] 例えば、 前記①工程を同時に行つた後、 ②③④工程を同時に行うサイクルを繰 返すことにより、 金属箔片 12を所要ピツチで連続的に仮止めした基板材 10を、 実 施例 1と同様に圧接、 圧延することにより、 高精度ピッ千で金属箔片を圧接したス ポッ ト;!犬部分クラッ ド材を得ることができる。
    [0173] この発明において、 超音波溶接には公知の方法、 装置が適用でき、 例えば、 高 周波発振器にて振動子を 15〜16kHzの超音波振動させ、 金属箔と基板材の接合厚み 方向に 10N程度の加圧力で当接する加振板に直交方向に振動子を介して、 すなわち 接合面に平行に振動させて、 0.1~ 1秒間保持して溶接を完了する。
    [0174] 実施例 6
    [0175] 第 11図に基づいて、 レーザースポッ ト溶接、 円形カ ッ ターにて圧延素材を得る 工程を説明する。
    [0176] コィルから巻き戻した基板材 10は、 レーザ—溶接装置 60へ図示しない定寸送り 装置にて所定長さずつ送り出され、 上方より金属箔 11が同様に定寸送り装置にて 所定長さずつ送り出される。 さらに、 レーザ一溶接装置 60の下流側には、 一対の円形カッター 63による切断 装置が設けてあり、 後述する溶接後にコイルに卷き取る力、 あるいはさらに、 下 流側に設けた圧延装置にて圧接、 圧延する。
    [0177] 基板材 10と金属箔 11の定寸送り装置は、 図示しないが、 所定長さずつ送り出す ことができれば、 公知のいずれの構成も利用できる。
    [0178] レーザー溶接装置は、 第 11図 b，cに示す如く、 基板材 10の金属箔 11圧着予定位置 の裏面側、 ここでは下面の中央部に上下動可能に支持材 61を配置し、 また金属箔 11側に押さえ治具 62を配設してある。
    [0179] すなわち、 基板材 10に沿つて所定位置にガイ ドする機構を設けた送りこみ装置 により、 前記支持材 61と押さえ治具 62が開閉可能となり、 基板材 10と金属箔 11が 定寸送りされて所定位置に重ね合わせられたのち、 前記支持材 61と押さえ治具 62 が移動して基板材 10と金属箔 11に当接した際、 レーザ一照射してレーザー溶接す る構成からなる。
    [0180] 切断装置は、 第 11図 eに示す如く、 所定間隔で保持され図示しない駆動モータ— で回転する円形力ッター 63からなり、 移動してきた金属箔 11をその幅方向に切断 する構成からなる
    [0181] 工程を詳述すると、
    [0182] ① 金属箔 11がガイ ド機構により、 基板材 10の所定位置に送り込まれ、 前記装置に より電極が開閉可能なレーザ—溶接器 60に基板材 10と金属箔 11が送り込まれ る。 この際、 所定送り量は圧接、 圧延、 仕上げ圧延によって変形する量を見込 んでおく必要がある（第 11図 a参照)。
    [0183] ② 支持材 61を上昇させ、 押さえ治具 62が金属箔 11を基板材 10に押付けた時点で、 該レーザー溶接器 60からのレーザ一ビームが押さえ治具 62に穿孔した照射窓 を通して金属箔照射され溶接を完了する。 （第 11図 b，c参照)。
    [0184] このとき、 照射時間が極めて短く金属溶融部が少なく、 金属箔表面に溶接痕が 出にくい利点があり、 また、 溶接箇所は基板材 10幅方向に一点以上に並べるとよ レ 特に、 第 11図 cに示す如く、 溶接は基板材 10幅方向の金属箔片 11両端部の 2点を 溶接するとよく、 後工程の圧延時にロールに嚙みこむ先端側のみを仮止めして後 端側をフリーにすることによ り、 圧接、 圧延性が向上する。
    [0185] ③ 上記溶接装置より所定ピッチの整数倍に位置した基板材 10部分に固定された金 属箔 11を所定間隔に配置した円形力ッタ一 63により所定長さに切断して金属箔 11の整形を行う（第 11図 d,e参照)。
    [0186] この際、 所定長さは圧接、 圧延、 仕上げ圧延によって変形する量を見込んでお く必要がある。
    [0187] ④切断後、 溶接されていない部分を除去することによ り、 レーザ一溶接により 仮止めされかつ形状が良好な所定寸法の金属箔片 12を得ることができる。 第 3 図惨照。
    [0188] 例えば、 前記①工程を同時に行った後、 ②③④工程を同時に行うサイ ク を繰 返すことによ り、 金属箔片 12を所要ピッチで連続的に仮止めした基板材 10を、 実 施例 1と同様に圧接、 圧延することによ り、 高精度ピッチで金属箔片を圧接したス ポッ ト状部分クラッ ド材を得ることができる。
    [0189] 実施例 7
    [0190] 第 12図に基づいて、 挟み切断、 レーザ一スポッ ト溶接にて圧延素材を得る工程 を説明する。
    [0191] コィルから巻き戻した基板材 10は、 レーザー溶接装置へ図示しない定寸送り装 置にて所定長さずつ送り出され、 溶接装置近傍には吸着機による金属箔 11の着脱 機構を設けて所定長さずつ送りだす金属箔の定寸送り装置、 挟み切断装置が設け てあり、 後述する溶接後にコイルに巻き取る力、、 あるいはさらに、 下流側に設け た圧延装置にて圧接、 圧延する。
    [0192] 金属箔 11の定寸送り装置は、 ここでは、 所定幅の帯状金属箔 11が吸着機 71にて 吸着され、 該金属箔 11を材料ガイ ド 70に設けた凹部溝底面上を吸着機 71の 1ス ト ローク分だけ摺動送りされる構成からなる。
    [0193] 基板材 10の定寸送り装置は、 図示しないが、 所定長さずつ送り出すことができ れば、 公知のいずれの構成も利用できる。 挟み切断装置は、 第 12図 a，bに示す如く、 前記材 l-ガイ ド 70の下流端が下側固定 ダイスとなり、 油圧シリ ンダやサーボモータ一等にて上下駆動されるパンチ 72 と前記ダイス端面とで切断する構成からなる。
    [0194] また、 挟み切断装置は、 切断時にダイス端面との間隔ク リアラ ンス力 0となる よう、 ばね等でパンチホルダーを介して押圧されるため目詰が発生し難い利点が ある。
    [0195] レーザー溶接装置は、 基板材 10の金属箔片 11圧着予定位置の裏面側、 すなわち 下面の中央部に支持ローラ 73を当接配置し、 レーザ一溶接器を配設した前記ノ ン チ 72とを組合せて、 前記の挟み切断後に金属箔片とともにパンチ 72が基板材 10に 当接した際、 レーザ一溶接する力、、 あるいは、 第 12図 eに示す如く、 パンチ 72の 切断刃とは反対側端に切り欠いたレーザ一照射窓に向けてレーザ一溶接器からの レーザービームを照射する構成からなる。
    [0196] 工程を詳述すると、
    [0197] ①吸引機 71による着脱機構を有する定寸送り装置により切断装置に所定幅の金属 箔 11を所定量送り込む (第 12図 c参照)。
    [0198] ②所定長さの金属箔 11がガイ ド 20端面よ りオーバ一ハングした時、 パンチ 72を 下降させて金属箔 11を切断して金属箔片 11となす (第 12図 d参照)。
    [0199] ③ 前記パンチ 72が切断した金属箔片 12を基板材 10に押付けた時点で、 レーザ—照 射することによ り、 金属箔片 12をレ一ザ一溶接する（第 12図 e参照)。 このとき の溶接条件は前述の実施例 6と同条件が好ま しい。
    [0200] ④ レーザ—溶接完了後に、 基板材 10を、 定寸送り装置にて、 所定量、 すなわち、 圧接、 圧延及び仕上げ圧延によって変形する量を見込んだ量を送る。
    [0201] 例えば、 前記①④工程を同時に行った後、 ②③工程を行うサイクルを繰返すこ とによ り、 金属箔片 12を所要ピッチで連続的に仮止めした基板材 10を、 実施例 1と 同様に圧接、 圧延することによ り、 高精度ピッチで金属箔片を圧接したスボッ ト 状部分クラッ ド材を得ることができる。 この発明の製造方法により、 ろう材等の金属被着部分を所定のワイヤボンディ ング位置に予め設ける必要があるフラッ トパッケージ用のリ一 ドフレームに最適 なスポッ ト状部分クラッ ド材を得ることができる。
    [0202] 例えば、 42Ni-Fe基板材に、 所定寸法の A1箔片が所定間隔で圧接されたスポッ ト状部分クラッ ド材を得ることができ、 このクラッ ド材から第 2図の如きリ一 ド フレームを連続ブレス成形して製造する場合、 A1箔片が基板材に所定の高精度 ピッチで圧接されているため、 連続プレス成形時の A1箔片の位置ずれがなく、 歩 留りょく量産性に優れた材料の加工が可能となる。
    权利要求:
    Claims

    請 求 の 範 囲 帯状基板材上に所定の隣接間ピツチで所要寸法の金属箔片を一点以上の溶接にて仮 止めした圧延素材を得る工程と-、
    前記仮止めした素材の基板材及ぴ金属箔片の寸法、 金属箔片のピッチより、 圧延後 の目標ピッチ並びに目標板厚みを得るための目標圧延荷重を設定し、 前記目標圧延 荷重を基準に荷重一定制御する手段と、
    圧延後の金属箔片の位置測定によ り、 予め設定した基板材上の原点から所要個数目 の金属箔片の目標位置と実測位置との差に応じて連続圧延中の圧延荷重を補正制御 する手段とにより圧接並びに圧延する工程とからなることを特徴とするスポッ ト 状部分クラッ ド材の製造方法。
    2
    圧延前の金属箔片の所要原点からの位置測定値により目標圧延荷重の設定値を補正 制御する手段を用いたことを特徴とする請求項 1記載のスポッ ト状部分クラッ ド材 の製造方法。
    3
    圧延素材を得る工程が、 定寸送り した金属箔をパンチで挟み切断すると同時に定 寸送りされる基板材上でパンチを通電材と して金属箔片を抵抗スポッ ト溶接して 仮止めする手段からなることを特徴とする請求項 1記載のスポッ 卜状部分クラッ ド材の製造方法。
    4
    圧延素材を得る工程が、 定寸送り した金属箔をパンチで挟み切断すると同時に定 寸送りされる基板材上でパンチに付設した超音波加振板にて超音波スポッ ト溶接 して仮止めする手段からなることを特徴とする請求項 1記載のスポッ ト状部分ク ラッ ド材の製造方法。
    5
    圧延素材を得る工程が、 定寸送り した金属箔を押さえ治具で同時に定寸送り され る基板材上に押圧しながら、 レーザービーム切断すると同時にびレーザ一スポッ ト溶接して仮止めする手段からなることを特徴とする請求項 1記載のスポッ ト状部 分クラッ ド材の製造方法。
    6
    圧延素材を得る工程が、 定寸送 した金属箔带と基板材を所要間隔で連続的に抵抗 スポッ ト溶接して仮止めした後、 回転力ッタ一で長手方向に一定間隔で幅方向に 仮止めしない金属箔の不要部を切断して除去する手段からなることを特徴とする 請求項 1記載のスポッ ト状部分クラッ ド材の製造方法。
    7
    圧延素材を得る工程が、 定寸送り した金属箔带と基板材を所要間隔で連続的に超音 波スポッ ト溶接して仮止めした後、 回転力ッタ一で長手方向に一定間隔で幅方向 に仮止めしない金属箔の不要部を切断して除去する手段からなることを特徴とす る請求項 1記載のスポッ ト状部分クラッ ド材の製造方法。
    8
    圧延素材を得る工程が、 定寸送り した金属箔带と基板材を所要間隔で連続的にレー ザースポッ ト溶接して仮止めした後、 回転力ッタ一で長手方向に一定間隔で幅方 向に仮止めしない金属箔の不要部を切断して除去する手段からなることを特徴と する請求項 1記載のスポッ ト状部分クラッ ド材の製造方法。
    9
    圧延素材を得る工程が、 定寸送り した金属箔と基板材を所要間隔で連続的にレ— ザ一ビーム溶接して仮止めした後、 レーザー切断で不要部を切断除去する手段か らなることを特徴とする請求項 1記載のスポッ ト状部分クラッ ド材の製造方法。
    10
    基板材が Ni、 Ni系合金、 Cu、 Cu系合金のいずれかであることを特徴とする請求 項 1記載のスポッ ト状部分クラッ ド材の製造方法。
    11
    金属箔が Agろう材、 Al、 A1系合金、 Cu、 Cu系合金のいずれかであることを特徴 とする請求項 1記載のスポッ ト I犬部分クラッ ド材の製造方法。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    ES2734198T3|2019-12-04|Troquelado por láser de un sistema de transportador de perfil en banda enrollada
    JP4838385B2|2011-12-14|両面摩擦攪拌接合方法、接合装置、冷間圧延設備の金属板接合方法及び冷間圧延設備
    EP2285521B1|2019-06-12|Progressive laser blanking device for high speed cutting
    CN100544882C|2009-09-30|卷板在线激光焊接工艺及其设备
    EP0258454B1|1993-04-21|Method and device for cutting and welding steel belts
    TWI608884B|2017-12-21|Processing component welding method in wire electric discharge machining
    EP1146578B1|2017-04-05|Battery electrode and manufacturing method and apparatus for the same
    JP2011031390A|2011-02-17|浮動状態で支持されるパンチ（スタンプ）を備えた打抜き工具
    US6508901B2|2003-01-21|Thermo-encapsulating system and method
    CN101557902B|2012-11-07|通过焊接连接金属板带的装置
    US6164525A|2000-12-26|Continuous hot rolling method of metal blocks, as well as a metal block joining apparatus, a table roller for conveying the metal blocks, a poor joined portion removing apparatus and a metal block cooling apparatus which are used to carry out said method
    CA1216898A|1987-01-20|Apparatus for butt welding steel strips by using alaser beam in a steel strip-processing line
    EP0343661B1|1993-02-03|Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von verschweissten Stanzteilen
    JP4998928B2|2012-08-15|切断方法及び切断装置
    CN102773713B|2015-03-18|适用于制管设备的铁板条接合装置
    JP5287866B2|2013-09-11|電気接触子の製造方法及び電気接触子の製造装置
    JP5422030B2|2014-02-19|鋼板のレーザ溶接方法、およびレーザ溶接装置
    EP0565846B1|1996-04-24|Verfahren und Vorrichtung zum Schweissen von Blechen zu Platinen mittels Laser
    JP5820273B2|2015-11-24|金属ストリップの溶接システム
    JP2009522105A|2009-06-11|湾曲したばね部材を製造するための方法及び装置
    FR2517232A1|1983-06-03|Dispositif pour le soudage de pieces par ultrasons, et notamment de contacts et connecteurs de photopiles solaires
    EP2202025A1|2010-06-30|Verfahren und Vorrichtung zum Verbinden von Metallbändern durch Reibpunktschweissen
    US20020195478A1|2002-12-26|Ultrasonic welding and cutting device for use in the manufacture of a flat cable
    US8973253B2|2015-03-10|Method and apparatus for manufacturing metal plate chip resistors
    EP3194168B1|2019-03-06|Vorrichtung zur herstellung einer batteriezelle
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    EP0493595A1|1992-07-08|
    EP0493595B1|1996-01-10|
    EP0493595A4|1993-09-01|
    KR960005825B1|1996-05-01|
    DE69024817T2|1996-11-07|
    US5234150A|1993-08-10|
    JPH03106578A|1991-05-07|
    DE69024817D1|1996-02-22|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JPS59141389A|1983-02-01|1984-08-14|Hitachi Cable Ltd|Production of partially clad material|
    JPS59174287A|1983-03-23|1984-10-02|Hitachi Cable Ltd|Production of partially clad material|
    JPS62114781A|1985-11-12|1987-05-26|Showa Alum Corp|Method for providing piece shaped metallic foil junction layer at regular interval on strip metal sheet|US5640759A|1994-04-22|1997-06-24|U.S. Philips Corporation|Method of connecting two strips provided with conductor patterns|JPS5722460B2|1977-06-08|1982-05-13|||
    JPS60227456A|1984-04-26|1985-11-12|Nec Corp|Lead frame for semiconductor device|
    JPS61209788A|1985-03-14|1986-09-18|Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd|Method and apparatus for rolling clad plate|
    JPS61209787A|1985-03-14|1986-09-18|Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd|Method and apparatus for rolling clad plate|
    JPS62224484A|1986-03-26|1987-10-02|Showa Alum Corp|Method for providing clad layer of dissimilar metal part at fixed intervals on strip like metal sheet|
    JPS6368284A|1986-09-09|1988-03-28|Daido Steel Co Ltd|Manufacture of stripe clad strip|
    US4887343A|1987-05-29|1989-12-19|Fuji Photo Film Co., Ltd.|Method and apparatus for roller leveler|
    JPH02280981A|1989-04-21|1990-11-16|Sumitomo Special Metals Co Ltd|Manufacture of spotted partial cladding material|
    JPH06102273B2|1989-06-02|1994-12-14|住友特殊金属株式会社|スポット状部分クラッド材の製造方法|
    JPH0379040A|1989-08-22|1991-04-04|Sumitomo Special Metals Co Ltd|Manufacture of spot-shaped partial clad material|CH685108A5|1991-12-12|1995-03-31|Bruderer Ag|Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Werkteilen auf einer Bänder verarbeitenden Umformmaschine.|
    FR2754595B1|1996-10-11|1999-01-08|Ziemann Secathen|Echangeur de chaleur, et faisceau d'echange de chaleur, ainsi que procedes de soudage et de realisation s'y rapportant|
    US20090223940A1|2004-08-09|2009-09-10|Nec Corporation|Different metallic thin plates welding method, bimetallic thin plates jointing element, electric device, and electric device assembly|
    US20060132544A1|2004-12-21|2006-06-22|Corley Richard E Jr|Laser tacking and singulating method and system|
    US7652223B2|2005-06-13|2010-01-26|Applied Materials, Inc.|Electron beam welding of sputtering target tiles|
    US20080041922A1|2006-07-13|2008-02-21|Mariana G Forrest|Hybrid Resistance/Ultrasonic Welding System and Method|
    JP5353087B2|2008-06-24|2013-11-27|スズキ株式会社|レーザ溶接用隙間制御装置|
    DE102010025963A1|2010-06-30|2012-01-05|Universität Paderborn|Verfahren zur umformtechnischen Herstellung von Halbzeugen mit lokal variierenden bzw. einstellbaren Verbundeigenschaften, entsprechend hergestellte Halbzeuge sowie Verwendung entsprechender Halbzeuge|
    CN109616420A|2018-11-21|2019-04-12|杰群电子科技（东莞）有限公司|一种功率模组加工方法及功率模组|
    法律状态:
    1991-04-04| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): KR US |
    1991-04-04| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB IT LU NL SE |
    1992-03-09| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1990913872 Country of ref document: EP |
    1992-07-08| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1990913872 Country of ref document: EP |
    1996-01-10| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1990913872 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP1/246165||1989-09-20||
    JP1246165A|JPH03106578A|1989-09-20|1989-09-20|Manufacture of spot shaped partial clad material|KR92700625A| KR960005825B1|1989-09-20|1990-09-19|점상 부분 접합 재료의 제조 방법|
    EP90913872A| EP0493595B1|1989-09-20|1990-09-19|Method of producing spot-like partially clad member|
    DE69024817T| DE69024817T2|1989-09-20|1990-09-19|Verfahren zur herstellung eines punktartig teilweise bedeckten elementes|
    [返回顶部]